逆光電子分光システム



 IPES 2000   
  OmniVac IPES 2000 システムは光電子分光の実験では難しかったフェルミと
 真空準位から非占有電子状態の密度までを測れる高感度表面分析法です。
 IPES 2000 システムは、UV光子検出のバンドパスフィルタを基にNaClコーティン 
 グのチャンネルトロンとSrF2入 射ウインドウで構成されDN 40 CF UHVフランジ
 にマウントされます。
  電子源はUHV完全互換でDN 40 CFにマウントされます。電子の熱電子放出は
 間接加熱のBaO陰極から放出されます。電子ビームは低エネルギーレンジ/狭
 いエネルギー分布/高電流ビーム、が特徴です。

  検出器 半導体検出器(NaCl) 
  ウィンドウ  SrF2(標準) 
  分解能  0.9eV(総合)
  取付フランジ  DN40 CF 
     
  電子源システム    
  ビームエネルギー  :  1eV ~ 200eV 
  ビーム電流  :  1nA ~ 20uA 
  フィラメント  :  BaO 

  
 
 IPES 3000   
  OmniVac IPES 3000 システムは光電子分光の実験では難しかったフェルミと
 真空準位から非占有電子状態の密度までを測れる高感度表面分析法です。
 UV光子検出のバンドパスフィルタを基にアセト ン/アルゴンで満たされたガイ
 ガー=ミューラーチューブとCaF2入射ウィンドウで構成されDN40CF UHVフランジ
 にマウントされます。
  電子源はUHV完全互換でDN40CFにマウントされ、電子の熱電子放出は間接
 加熱のBaO陰極から放出されます。電子ビームは低エネルギーレ ンジ/狭いエ
 ネルギー分布/高電流ビーム、が特徴です。

  検出器 :  混合ガスGM管 
  ウィンドウ  :  CaF2(標準) 
  分解能  :  0.5eV(総合) 
   取付フランジ :  DN40 CF 
     
  電子源システム     
  ビームエネルギー  :  1eV ~ 200eV 
  ビーム電流  :  1nA ~ 200eV
  フィラメント  :  BaO 

 
 





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